陈新

 

陈新(Xin Chen):特聘教授,首届上海千人计划专家,材料科学与工程硕士生和博士生导师。
 
 
1991年7月于清华大学现代应用物理系获学士学位。在中国科学院表面物理国家重点开放实验室工作四年半。1996年-2008年在美国休斯敦大学先进材料中心(前太空真空外延中心)学习和工作, 2000年取得理学博士学位,之后担任了从博士后直到助理研究教授的职位,其间2004年-2005年在北京大学任访问教授3个月。2008年-2009年在美国应用光电子公司工作。2010年-2011年在美国伊利诺大学厄巴纳-香槟分校任访问助理研究教授。2011年7月至今,华东理工大学材料科学与工程学院,特聘教授。2011年入选上海千人计划。
 
【研究方向】
·        用先进显微镜技术研究开发新型纳米材料
·        新能源材料
·        新型纳米材料与器件
 
【主要奖励】
·        Sigma Xi 研究成果奖(2000)
·        美国国家航空航天局太空行动奖(2007)
 
【主要学术兼职】
·        长期为Advanced Materials (先进材料)、New Journal of Physics (新物理学杂志)、Nanotechnology (纳米技术)、Electrochemical and Solid-State Letters、Journal of Applied Physics等多家国际知名刊物担任审稿人。
·        多次在国际学术组织及学术会议上担任领导职务及组织者。
 
【主要学术成果】
I.书籍编写:
1.      “Applied Physics in the 21st Century”, Ed. X. Chen, Research Signpost, 2008.
 
II. 近年来国际学术期刊主要论文:
1.      X. Chen, K. W. Noh, J. G. Wen, and S. Dillon, “In-situ electrochemical wet cell TEM characterization of solid-liquid interactions between Ni and aqueous NiCl2”, Acta Materialia(inpress.
2.      Y. Liu, X. Chen K. W. Noh, and S. Dillon, “Electron beam induced deposition of silicon nanostructures from a liquid phase precursor”, to be published.
3.      A. Zomorrodian, H. Salamati, Z. G. Lu, X. Chen, N. J. Wu, A. Ignatiev, “Electrical conductivity of epitaxial La0.6Sr0.4Co0.2Fe0.8O3-d thin films grown by pulsed laser deposition”, International Journal of Hydrogen Energy, 35 (2010) 12443.
4.      A. Ignatiev, X. Chen, N. J. Wu, Z. G. Lu, L. Smith, “Nanostructured thin solid oxide fuel cells with high power density”, Dalton Transactions, 40 (2008) 5501.
5.      A. Ignatiev, N. J. Wu, X. Chen, Y. B. Nian, C. Papagianni, S. Q. Liu, J. Strozier, “Resistance switching in oxide thin films”, Phase Transitions, 81 (2008) 791.
6.      Y. B. Nian, J. Strozier, N. J. Wu, X. Chen, and A. Ignatiev, “Evidence for an Oxygen Diffusion Model for the Electric Pulse Induced Resistance Change Effect in Oxides”, Physical Review Letters, 98 (2007) 146403.
7.      X. Chen, N. J. Wu, J. Strozier, and A. Ignatiev, “Spatially Extended Nature of Resistance Switching in Perovskite Oxide Thin Films”, Applied Physics Letters, 89 (2006) 063507.
8.      X. Chen, J. Strozier, N. J. Wu, A. Ignatiev, Y. B. Nian, “A study of symmetry property and multi-state nature of perovskite oxide-based EPIR devices”, New Journal of Physics, 8 (2006) 229.
9.      A. Ignatiev, N. J. Wu, X. Chen, C. Papagianni, S. Q. Liu, J. Strozier, “Resistance Switching in Perovskite Thin Films”, Phys. Stat. Sol. (b) 243 (9) (2006) 2089.
10. X. Chen, N. J. Wu, A. Ignatiev, Q. Chen, and Y. Zhang, “Buffer-Enhanced Electrical-Pulse-Induced-Resistive Memory Effect in Thin Film Perovskites”, Japanese Journal of Applied Physics, 45 (3A) (2006) 1602.
11. X. Chen, N. J. Wu, J. Strozier and A. Ignatiev, “Direct resistance switching profile study on a symmetric electrical pulse induced resistance change device”, Applied Physics Letters 87 (2005) 233506. X. Chen, N. J. Wu, L. Smith, and A. Ignatiev, “Thin-Film Heterostructure Solid Oxide Fuel Cells”, Applied Physics Letters 84 (14) (2004) 2700. X. Chen, S. Wang, Y. L. Yang, L. Smith, N. J. Wu, B.-I. Kim, S. S. Perry, A. J. Jacobson and A. Ignatiev, “Electrical conductivity relaxation studies of an epitaxial La0.5Sr0.5CoO3-δ thin film”, Solid State Ionics 146 (2002) 405.
12. S. Stemmer, A. J. Jacobson, X. Chen and A. Ignatiev, "Oxygen vacancy ordering in epitaxial La0.5Sr0.5CoO3-d thin films on (001) LaAlO3", Journal of Applied Physics 90 (7) (2001) 3319.
13. S. Kim, S. Wang, X. Chen, Y. L. Yang, N. Wu, A. Ignatiev, A. J. Jacobson and B. Abeles, “Oxygen Surface Exchange in Mixed Ionic Electronic Conductors: Application to La0.5Sr0.5Fe0.8Ga0.2O3-dJ. Electrochem. Soc. 147 (6) (2000) 2398.
 
III.专利情况:
是3项美国发明专利的第一发明人和2项美国发明专利的第2发明人。
 
【联系方式】
 
【备注】
真诚寻求与研究机构和企业合作进行应用科技研究。欢迎报考本组硕士和博士研究生,并热诚欢迎博士毕业生、研究人员到本组从事前沿科学研究工作。
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